MSC040SMA120S
Número de Producto del Fabricante:

MSC040SMA120S

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

Número de pieza:

MSC040SMA120S-DG

Descripción:

SICFET N-CH 1200V 64A TO268
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 64A (Tc) 303W Surface Mount D3PAK

Inventario:

42 Pcs Nuevos Originales En Stock
13258955
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

MSC040SMA120S Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
64A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
50mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
2.6V @ 2mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
137 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+23V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1990 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
303W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D3Pak
Paquete / Caja
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número de producto base
MSC040

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
30

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
goford-semiconductor

G500P03IE

MOSFET P-CH ESD 30V 4.6A SOT-23

goford-semiconductor

G090P02S

MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8

goford-semiconductor

GT016N10Q

MOSFET N-CH 100V 228A TO-247

transphorm

TP65H035G4QS

650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG