Número de Producto del Fabricante:
MSCSM170HRM451AG
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
MSCSM170HRM451AG-DG
Descripción:
SIC 4N-CH 1700V/1200V 64A/89A
Descripción Detallada:
Mosfet Array 1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV) 64A (Tc), 89A (Tc) 319W (Tc), 395W (Tc) Chassis Mount
Inventario:
12960578
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ENVIAR
MSCSM170HRM451AG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Configuración
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Función FET
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
64A (Tc), 89A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
45mOhm @ 30A, 20V, 31mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
3.2V @ 2.5mA, 2.8V @ 3mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
178nC @ 20V, 232nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3300pF @ 1000V, 3020pF @ 1000V
Potencia - Máx.
319W (Tc), 395W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete de dispositivos del proveedor
-
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
150-MSCSM170HRM451AG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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