Número de Producto del Fabricante:
APT9F100S
Product Overview
Fabricante:
Microsemi Corporation
Número de pieza:
APT9F100S-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 9A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3PAK
Inventario:
13258669
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ENVIAR
APT9F100S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalaje
-
Serie
POWER MOS 8™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.6Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2606 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
337W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D3Pak
Paquete / Caja
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
APT9F100S-ND
150-APT9F100S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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