Número de Producto del Fabricante:
BUK9E08-55B,127
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
BUK9E08-55B,127-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 203W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
12830187
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ENVIAR
BUK9E08-55B,127 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
-
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
75A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5280 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
203W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
BUK9E08-55B,127-DG
NEXNXPBUK9E08-55B,127
568-5732-5
568-5732-DG
2156-BUK9E08-55B127
568-5732-5-DG
568-5732
934057717127
1727-4636
BUK9E0855B127
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK4R3E06PL,S1X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
177
NÚMERO DE PIEZA
TK4R3E06PL,S1X-DG
PRECIO UNITARIO
0.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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CANTIDAD DISPONIBLE
3938
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
0.67
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FABRICANTE
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CANTIDAD DISPONIBLE
498
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PRECIO UNITARIO
1.44
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CANTIDAD DISPONIBLE
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PRECIO UNITARIO
1.32
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CANTIDAD DISPONIBLE
0
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PRECIO UNITARIO
1.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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