Número de Producto del Fabricante:
NXV65UPR
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
NXV65UPR-DG
Descripción:
NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 2.1A (Ta) 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventario:
50625 Pcs Nuevos Originales En Stock
12950069
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ENVIAR
NXV65UPR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
70mOhm @ 2.1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
458 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-236AB
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
1727-NXV65UPRDKR
1727-NXV65UPRCT
1727-NXV65UPRTR
934661665215
5202-NXV65UPRTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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