PMPB08R4VPX
Número de Producto del Fabricante:

PMPB08R4VPX

Product Overview

Fabricante:

Nexperia USA Inc.

Número de pieza:

PMPB08R4VPX-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 12A (Ta) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6

Inventario:

5980 Pcs Nuevos Originales En Stock
12954276
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

PMPB08R4VPX Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.6mOhm @ 12A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
900mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2200 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN2020MD-6
Paquete / Caja
6-UDFN Exposed Pad
Número de producto base
PMPB08

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
1727-PMPB08R4VPXTR
1727-PMPB08R4VPXDKR
1727-PMPB08R4VPXCT
5202-PMPB08R4VPXTR
934661979115

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SIR476DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

fairchild-semiconductor

FCH35N60

MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3

diodes

DMT15H017LPS-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5

vishay-siliconix

SIHP22N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB