Número de Producto del Fabricante:
PSMN3R0-30YL,115
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
PSMN3R0-30YL,115-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventario:
42077 Pcs Nuevos Originales En Stock
12916713
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
PSMN3R0-30YL,115 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.15V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2822 pF @ 12 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
81W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja
SC-100, SOT-669
Número de producto base
PSMN3R0
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
5202-PSMN3R0-30YL,115TR
568-4681-6-DG
568-4681-1-DG
568-4681-2-DG
PSMN3R0-30YL T/R
568-4681-6
568-4681-1
568-4681-2
1727-4165-6
934063072115
1727-4165-1
1727-4165-2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SIHG73N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
SI5404BDC-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
SI7495DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
