PHB18NQ10T,118
Número de Producto del Fabricante:

PHB18NQ10T,118

Product Overview

Fabricante:

NXP USA Inc.

Número de pieza:

PHB18NQ10T,118-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventario:

1966 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947130
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ENVIAR

PHB18NQ10T,118 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
90mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
633 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hoja de Datos y Documentos

Información Adicional

Paquete Estándar
671
Otros nombres
2156-PHB18NQ10T,118
NEXNXPPHB18NQ10T,118

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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international-rectifier

IRF6641TRPBF

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