Número de Producto del Fabricante:
PHB18NQ10T,118
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PHB18NQ10T,118-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
1966 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947130
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ENVIAR
PHB18NQ10T,118 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
90mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
633 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
671
Otros nombres
2156-PHB18NQ10T,118
NEXNXPPHB18NQ10T,118
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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