Número de Producto del Fabricante:
2SJ665-DL-1EX
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
2SJ665-DL-1EX-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 27A TO263-2
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 27A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount TO-263-2
Inventario:
12834668
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
2SJ665-DL-1EX Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
27A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
77mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4200 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
2SJ665
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
2156-2SJ665-DL-1EX-ON
ONSONS2SJ665-DL-1EX
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FQB34P10TM
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
FQB34P10TM-DG
PRECIO UNITARIO
1.23
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
Productos relacionados
2N7000G
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
ATP203-TL-H
MOSFET N-CH 30V 75A ATPAK
2SK3746-1E
MOSFET N-CH 1500V 2A TO3P-3L
