Número de Producto del Fabricante:
FCH043N60
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCH043N60-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
12839481
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ENVIAR
FCH043N60 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
SuperFET® II
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
75A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
43mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
215 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12225 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
592W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
FCH043
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
ONSONSFCH043N60
2156-FCH043N60-OS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SIHG64N65E-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
SIHG64N65E-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
7.48
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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CANTIDAD DISPONIBLE
0
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PRECIO UNITARIO
3.69
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PRECIO UNITARIO
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PRECIO UNITARIO
33.71
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CANTIDAD DISPONIBLE
0
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PRECIO UNITARIO
8.17
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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