Número de Producto del Fabricante:
FCMT299N60
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCMT299N60-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount Power88
Inventario:
2390 Pcs Nuevos Originales En Stock
12851108
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ENVIAR
FCMT299N60 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperFET® II
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
299mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1948 pF @ 380 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Power88
Paquete / Caja
4-PowerTSFN
Número de producto base
FCMT299
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
1990-FCMT299N60TR
FCMT299N60DKR
FCMT299N60TR
2156-FCMT299N60
FCMT299N60CT
1990-FCMT299N60DKR
1990-FCMT299N60CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPL60R299CPAUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IPL60R299CPAUMA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
FCMT299N60
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
2390
NÚMERO DE PIEZA
FCMT299N60-DG
PRECIO UNITARIO
1.85
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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