FDB082N15A
Número de Producto del Fabricante:

FDB082N15A

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDB082N15A-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 117A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

508 Pcs Nuevos Originales En Stock
12845906
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDB082N15A Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
117A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.2mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6040 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
294W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FDB082

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
800
Otros nombres
FDB082N15A-DG
FDB082N15AFSCT
FDB082N15AFSDKR
FDB082N15AFSTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IXTA140N12T2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTA140N12T2-DG
PRECIO UNITARIO
3.93
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IPB072N15N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
4910
NÚMERO DE PIEZA
IPB072N15N3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
2.99
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IPB108N15N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
3546
NÚMERO DE PIEZA
IPB108N15N3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
2.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

FQD8P10TM_F080

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOT11N70

MOSFET N-CH 700V 11A TO220

onsemi

NTMJS1D2N04CLTWG

MOSFET N-CH 40V 41A/237A 8LFPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOT9N50

MOSFET N-CH 500V 9A TO220