Número de Producto del Fabricante:
FQP19N20C_F080
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQP19N20C_F080-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12850148
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FQP19N20C_F080 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
170mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1080 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FQP1
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF200B211
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
4746
NÚMERO DE PIEZA
IRF200B211-DG
PRECIO UNITARIO
0.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
FCA36N60NF
MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
FDB3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
FDS2734
MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
