Número de Producto del Fabricante:
NSBC114EPDXVT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NSBC114EPDXVT1G-DG
Descripción:
SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Inventario:
16000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12973747
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ENVIAR
NSBC114EPDXVT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biasados
Fabricante
onsemi
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Resistencia - Base (R1)
10kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
10kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
35 @ 5mA, 10V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Frecuencia - Transición
-
Potencia - Máx.
500mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-563
Número de producto base
NSBC114
Información Adicional
Paquete Estándar
5,323
Otros nombres
2156-NSBC114EPDXVT1G
ONSONSNSBC114EPDXVT1G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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2SC164S_R1_00001
APPLICATION SPECIFIC MULTICHIP C
