Número de Producto del Fabricante:
NTBG1000N170M1
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTBG1000N170M1-DG
Descripción:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Descripción Detallada:
N-Channel 1700 V 4.3A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventario:
736 Pcs Nuevos Originales En Stock
13255983
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ENVIAR
NTBG1000N170M1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.43Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 640µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
150 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
51W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
488-NTBG1000N170M1TR
488-NTBG1000N170M1DKR
488-NTBG1000N170M1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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