Número de Producto del Fabricante:
NTHS4166NT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTHS4166NT1G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 4.9A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount ChipFET™
Inventario:
461 Pcs Nuevos Originales En Stock
12860637
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ENVIAR
NTHS4166NT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Cut Tape (CT)
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
22mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
900 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
800mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
ChipFET™
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Número de producto base
NTHS4166
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2156-NTHS4166NT1G-OS
ONSONSNTHS4166NT1G
NTHS4166NT1GOSDKR
NTHS4166NT1GOSCT
2832-NTHS4166NT1GTR
NTHS4166NT1GOSTR
NTHS4166NT1G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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