Número de Producto del Fabricante:
NTMFD4901NFT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTMFD4901NFT1G-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 10.3A, 17.9A 1.1W, 1.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Inventario:
12860817
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ENVIAR
NTMFD4901NFT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual), Schottky
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10.3A, 17.9A
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1150pF @ 15V
Potencia - Máx.
1.1W, 1.2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Número de producto base
NTMFD4901
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
ONSNTMFD4901NFT1G
NTMFD4901NFT1G-DG
NTMFD4901NFT1GOSCT
2156-NTMFD4901NFT1G-OS
NTMFD4901NFT1GOSDKR
NTMFD4901NFT1GOSTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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