GNP1070TC-ZE2
Número de Producto del Fabricante:

GNP1070TC-ZE2

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

Número de pieza:

GNP1070TC-ZE2-DG

Descripción:

ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount DFN8080K

Inventario:

4176 Pcs Nuevos Originales En Stock
13000713
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GNP1070TC-ZE2 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 5.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
98mOhm @ 1.9A, 5.5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 18mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.2 nC @ 6 V
Vgs (máx.)
+6V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
200 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN8080K
Paquete / Caja
8-PowerDFN
Número de producto base
GNP1070

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
3,500
Otros nombres
846-GNP1070TC-ZE2TR
846-GNP1070TC-ZE2DKR
846-GNP1070TC-ZE2CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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