Número de Producto del Fabricante:
GNP1150TCA-ZE2
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
GNP1150TCA-ZE2-DG
Descripción:
ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount DFN8080AK
Inventario:
3051 Pcs Nuevos Originales En Stock
13000714
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
GNP1150TCA-ZE2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 5.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
195mOhm @ 1.9A, 5.5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 18mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.7 nC @ 6 V
Vgs (máx.)
+6V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
112 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN8080AK
Paquete / Caja
8-PowerDFN
Número de producto base
GNP1150
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,500
Otros nombres
846-GNP1150TCA-ZE2CT
846-GNP1150TCA-ZE2TR
846-GNP1150TCA-ZE2DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMN2310U-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
DMTH8008LFG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
STP80N600K6
N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,