Número de Producto del Fabricante:
HP8ME5TB1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
HP8ME5TB1-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 100V 3A/8.5A 8HSOP
Descripción Detallada:
Mosfet Array 100V 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventario:
1193 Pcs Nuevos Originales En Stock
12787955
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ENVIAR
HP8ME5TB1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Potencia - Máx.
3W (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HSOP
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
846-HP8ME5TB1DKR
846-HP8ME5TB1CT
846-HP8ME5TB1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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