Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Mexico
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Mexico
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
Francia
España
Turquía
Moldavia
Lituania
Noruega
Alemania
Portugal
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Ruso
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Serbia
Bielorrusia
Países Bajos
Suecia
Montenegro
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Rumania
Austria
Bélgica
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
República Democrática del Congo
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Angola
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
R6002ENDTL
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R6002ENDTL-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 1.7A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
13527257
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
R6002ENDTL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
65 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
CPT3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
R6002
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
R6002ENDTL
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
R6002ENDTLCT
R6002ENDTLTR
R6002ENDTLDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD60R3K3C6ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
4490
NÚMERO DE PIEZA
IPD60R3K3C6ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.22
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
NÚMERO DE PARTE
R6007END3TL1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
2500
NÚMERO DE PIEZA
R6007END3TL1-DG
PRECIO UNITARIO
0.89
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
FCD3400N80Z
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
957
NÚMERO DE PIEZA
FCD3400N80Z-DG
PRECIO UNITARIO
0.69
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
RQ1E050RPTR
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
QS5U27TR
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
R6042JNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 42A TO247G
RD3P200SNTL1
MOSFET N-CH 100V 20A TO252