Número de Producto del Fabricante:
R6515KNX3C16
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R6515KNX3C16-DG
Descripción:
650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 161W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
956 Pcs Nuevos Originales En Stock
12965639
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
R6515KNX3C16 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
15A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
315mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 430µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
27.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1050 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
161W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
R6515
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
846-R6515KNX3C16
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
R6504END3TL1
650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
BSS138BKWT106
NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
TK2R4E08QM,S1X
UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
