Número de Producto del Fabricante:
RF4P025ATTCR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RF4P025ATTCR-DG
Descripción:
PCH -100V -2.5A POWER MOSFET
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 2.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Inventario:
2951 Pcs Nuevos Originales En Stock
12998182
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ENVIAR
RF4P025ATTCR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
260mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
590 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
HUML2020L8
Paquete / Caja
8-PowerUDFN
Número de producto base
RF4P025
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
846-RF4P025ATTCRDKR
846-RF4P025ATTCRTR
846-RF4P025ATTCRCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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