Número de Producto del Fabricante:
RQ3P045ATTB1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RQ3P045ATTB1-DG
Descripción:
PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 4.5A (Ta), 14.5A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventario:
2620 Pcs Nuevos Originales En Stock
13371543
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
RQ3P045ATTB1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.5A (Ta), 14.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
86mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1990 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
RQ3P045
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
846-RQ3P045ATTB1TR
846-RQ3P045ATTB1CT
846-RQ3P045ATTB1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPDQ60R022S7AXTMA1
MOSFET
TQM070NH04CR RLG
40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
G130N06S
MOSFET N-CH 60V 9A SOP-8