Número de Producto del Fabricante:
RS6G120BGTB1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RS6G120BGTB1-DG
Descripción:
NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventario:
2094 Pcs Nuevos Originales En Stock
12976581
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ENVIAR
RS6G120BGTB1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.34mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4240 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HSOP
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
RS6G
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
846-RS6G120BGTB1TR
846-RS6G120BGTB1DKR
846-RS6G120BGTB1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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