Número de Producto del Fabricante:
RW1E025RPT2CR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RW1E025RPT2CR-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Inventario:
13524454
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ENVIAR
RW1E025RPT2CR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
75mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
480 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-WEMT
Paquete / Caja
6-SMD, Flat Leads
Número de producto base
RW1E025
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
RW1E025RPT2CRCT
RW1E025RPT2CRDKR
RW1E025RPT2CRTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SSM6J214FE(TE85L,F
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
19745
NÚMERO DE PIEZA
SSM6J214FE(TE85L,F-DG
PRECIO UNITARIO
0.08
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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