SCT3060AW7TL
Número de Producto del Fabricante:

SCT3060AW7TL

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

Número de pieza:

SCT3060AW7TL-DG

Descripción:

SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 38A (Tc) 159W Surface Mount TO-263-7

Inventario:

1189 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977941
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SCT3060AW7TL Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
38A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
78mOhm @ 13A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
5.6V @ 6.67mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
58 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
852 pF @ 500 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
159W
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
SCT3060

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
846-SCT3060AW7TLCT
846-SCT3060AW7TLDKR
846-SCT3060AW7TLTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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