Número de Producto del Fabricante:
A1F25M12W2-F1
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
A1F25M12W2-F1-DG
Descripción:
SIC 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1
Descripción Detallada:
Mosfet Array 1200V 50A Chassis Mount ACEPACK 1
Inventario:
12787806
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
A1F25M12W2-F1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tray
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Configuración
4 N-Channel
Función FET
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A
rds activados (máx.) @ id, vgs
34mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
4.9V @ 5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
147nC @ 18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3500pF @ 800V
Potencia - Máx.
-
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete de dispositivos del proveedor
ACEPACK 1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
18
Otros nombres
497-A1F25M12W2-F1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDMS3602S-P
MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN
G120N03D32
MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
WI62195
GANFET 2P-CH 750V 9A 14QFN
