HT8KE5TB1

Número de Producto del Fabricante:

HT8KE5TB1

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

Número de pieza:

HT8KE5TB1-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 100V 2.5A/7A 8HSMT

Descripción Detallada:

Mosfet Array 100V 2.5A (Ta), 7A (Tc) 2W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Inventario:

2990 Pcs Nuevos Originales En Stock

12787952

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HT8KE5TB1 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET

Fabricante

ROHM Semiconductor

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Estado del producto

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Configuración

2 N-Channel

Función FET

Standard

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

100V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

2.5A (Ta), 7A (Tc)

rds activados (máx.) @ id, vgs

193mOhm @ 2.5A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

2.9nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

90pF @ 50V

Potencia - Máx.

2W (Ta), 13W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Caja

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivos del proveedor

8-HSMT (3.2x3)

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

3,000

Otros nombres

846-HT8KE5TB1CT

846-HT8KE5TB1TR

846-HT8KE5TB1DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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