TSM3457CX6
Número de Producto del Fabricante:

TSM3457CX6

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza:

TSM3457CX6-DG

Descripción:

-30V, -5A, SINGLE P-CHANNEL POWE
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-26

Inventario:

13004435
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

TSM3457CX6 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
551.57 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-26
Paquete / Caja
SOT-23-6
Número de producto base
TSM3457

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
12,000
Otros nombres
1801-TSM3457CX6TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
goford-semiconductor

G7K2N20LLE

MOSFET N-CH ESD 200V 2A SOT-23-6

good-ark-semiconductor

SSF02N15

MOSFET, N-CH, SINGLE, 1.4A, 150V

good-ark-semiconductor

SSF2319CJ1

MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.45A, -2