Número de Producto del Fabricante:
TK10P50W,RQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK10P50W,RQ-DG
Descripción:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
1635 Pcs Nuevos Originales En Stock
12987877
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TK10P50W,RQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
430mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.7V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
700 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
264-TK10P50W,RQTR-DG
264-TK10P50W,RQTR
264-TK10P50W,RQCT
264-TK10P50WRQTR-DG
264-TK10P50WRQTR
264-TK10P50W,RQDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TK110Z65Z,S1F
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4
DI020P06PT-AQ
MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20A
EPC2204A
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
