Número de Producto del Fabricante:
TK160F10N1L,LXGQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK160F10N1L,LXGQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Inventario:
8900 Pcs Nuevos Originales En Stock
12943588
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ENVIAR
TK160F10N1L,LXGQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
160A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10100 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SM(W)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
TK160F10
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
TK160F10N1L,LXGQ(O
264-TK160F10N1LLXGQTR
264-TK160F10N1LLXGQDKR
264-TK160F10N1LLXGQCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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