Número de Producto del Fabricante:
TK25V60X5,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK25V60X5,LQ-DG
Descripción:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Inventario:
2500 Pcs Nuevos Originales En Stock
12988396
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ENVIAR
TK25V60X5,LQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
150mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 1.2mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2400 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-DFN-EP (8x8)
Paquete / Caja
4-VSFN Exposed Pad
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
264-TK25V60X5LQTR
264-TK25V60X5LQTR-DG
264-TK25V60X5,LQTR
264-TK25V60X5,LQDKR
264-TK25V60X5,LQTR-DG
264-TK25V60X5,LQCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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