Número de Producto del Fabricante:
TK2Q60D(Q)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK2Q60D(Q)-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 2A (Ta) 60W (Tc) Through Hole PW-MOLD2
Inventario:
190 Pcs Nuevos Originales En Stock
12891499
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ENVIAR
TK2Q60D(Q) Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Bulk
Serie
π-MOSVII
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
280 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PW-MOLD2
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
TK2Q60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
200
Otros nombres
TK2Q60DQ
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFUC20PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
7
NÚMERO DE PIEZA
IRFUC20PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.60
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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