Número de Producto del Fabricante:
IRFUC20PBF
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
IRFUC20PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventario:
7 Pcs Nuevos Originales En Stock
12913094
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ENVIAR
IRFUC20PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.4Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251AA
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IRFUC20
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
*IRFUC20PBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STD2HNK60Z-1
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
3054
NÚMERO DE PIEZA
STD2HNK60Z-1-DG
PRECIO UNITARIO
0.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STU2N62K3
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
3000
NÚMERO DE PIEZA
STU2N62K3-DG
PRECIO UNITARIO
0.52
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
TK2Q60D(Q)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
190
NÚMERO DE PIEZA
TK2Q60D(Q)-DG
PRECIO UNITARIO
0.28
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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