Número de Producto del Fabricante:
TK5A60W5,S5VX
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK5A60W5,S5VX-DG
Descripción:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 4.5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventario:
12988699
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TK5A60W5,S5VX Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
950mOhm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 230µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
370 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
264-TK5A60W5S5VX
264-TK5A60W5,S5VX
264-TK5A60W5,S5VX-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TPH4R008QM,LQ
POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
IPB65R125CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEW
IPTG063N15NM5ATMA1
TRENCH >=100V
