Número de Producto del Fabricante:
TP65H035G4WSQA
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
Número de pieza:
TP65H035G4WSQA-DG
Descripción:
650 V 46.5 GAN FET
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
293 Pcs Nuevos Originales En Stock
12968099
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TP65H035G4WSQA Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
47.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
41mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.8V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
187W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
1707-TP65H035G4WSQA
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFS630B
9A, 200V, 0.4OHM, N-CHANNEL MOSF
CPH3331-TL-E
P-CHANNEL SILICON MOSFET FOR GEN
SIR5802DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
