Número de Producto del Fabricante:
TPH3206PSB
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
Número de pieza:
TPH3206PSB-DG
Descripción:
GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
13445913
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ENVIAR
TPH3206PSB Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
180mOhm @ 10A, 8V
vgs(th) (máx.) @ id
2.6V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
720 pF @ 480 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
81W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TPH3206
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TP65H150G4PS
FABRICANTE
Transphorm
CANTIDAD DISPONIBLE
3165
NÚMERO DE PIEZA
TP65H150G4PS-DG
PRECIO UNITARIO
3.27
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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