Número de Producto del Fabricante:
TPH3208PD
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
Número de pieza:
TPH3208PD-DG
Descripción:
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
13445848
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ENVIAR
TPH3208PD Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
130mOhm @ 13A, 8V
vgs(th) (máx.) @ id
2.6V @ 300µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
760 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STP33N60DM2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
3750
NÚMERO DE PIEZA
STP33N60DM2-DG
PRECIO UNITARIO
2.32
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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