Número de Producto del Fabricante:
UF3C065080B7S
Product Overview
Fabricante:
Qorvo
Número de pieza:
UF3C065080B7S-DG
Descripción:
SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 27A (Tc) 136.4W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventario:
2961 Pcs Nuevos Originales En Stock
12987825
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ENVIAR
UF3C065080B7S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Qorvo
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
27A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
105mOhm @ 20A, 12V
vgs(th) (máx.) @ id
6V @ 10mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 12 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
760 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
136.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
UF3C065080
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
2312-UF3C065080B7STR
2312-UF3C065080B7SCT
2312-UF3C065080B7SDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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