IRFBF20L
Número de Producto del Fabricante:

IRFBF20L

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

IRFBF20L-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventario:

12906641
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IRFBF20L Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
490 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IRFBF20

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
*IRFBF20L

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IRFBF20LPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IRFBF20LPBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.04
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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