Número de Producto del Fabricante:
SI1025X-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI1025X-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 190mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventario:
34282 Pcs Nuevos Originales En Stock
12962154
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
sDdJ
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI1025X-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
190mA
rds activados (máx.) @ id, vgs
4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.7nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
23pF @ 25V
Potencia - Máx.
250mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-89 (SOT-563F)
Número de producto base
SI1025
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI1025XT1GE3
SI1025X-T1-GE3DKR
SI1025X-T1-GE3TR
SI1025X-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI4511DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
SI1917EDH-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
MSCSM170HRM075NG
SIC 4N-CH 1700V/1200V 337A
