Número de Producto del Fabricante:
SI1965DH-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI1965DH-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Descripción Detallada:
Mosfet Array 12V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6
Inventario:
5645 Pcs Nuevos Originales En Stock
12913373
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ENVIAR
SI1965DH-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.3A
rds activados (máx.) @ id, vgs
390mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.2nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
120pF @ 6V
Potencia - Máx.
1.25W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-70-6
Número de producto base
SI1965
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI1965DH-T1-GE3TR
SI1965DH-T1-GE3DKR
SI1965DHT1GE3
SI1965DH-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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