SI2328DS-T1-BE3

Número de Producto del Fabricante:

SI2328DS-T1-BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI2328DS-T1-BE3-DG

Descripción:

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

Descripción Detallada:

N-Channel 100 V 1.15A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventario:

11995 Pcs Nuevos Originales En Stock

12998606

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SI2328DS-T1-BE3 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

1.15A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

250mOhm @ 1.5A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

5 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

730mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

SOT-23-3 (TO-236)

Paquete / Caja

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

3,000

Otros nombres

742-SI2328DS-T1-BE3TR

742-SI2328DS-T1-BE3DKR

742-SI2328DS-T1-BE3CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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