SI6443DQ-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SI6443DQ-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI6443DQ-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 30V 7.3A 8TSSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 7.3A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

Inventario:

12918160
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SI6443DQ-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 8.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.05W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSSOP
Paquete / Caja
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Número de producto base
SI6443

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI6443DQ-T1-GE3DKR
SI6443DQ-T1-GE3TR
SI6443DQT1GE3
SI6443DQ-T1-GE3CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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