Número de Producto del Fabricante:
SIB417EDK-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIB417EDK-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
Descripción Detallada:
P-Channel 8 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Inventario:
12918589
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ENVIAR
SIB417EDK-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
58mOhm @ 5.8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
565 pF @ 4 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SC-75-6
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-75-6
Número de producto base
SIB417
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIB417EDK-T1-GE3DKR
SIB417EDK-T1-GE3CT
SIB417EDK-T1-GE3TR
SIB417EDKT1GE3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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