Número de Producto del Fabricante:
SIHB15N80AE-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHB15N80AE-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
390 Pcs Nuevos Originales En Stock
12978096
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIHB15N80AE-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
E
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
350mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1093 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
SIHB15
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
742-SIHB15N80AE-GE3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SQJQ142E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
SI1308EDL-T1-BE3
MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3
CP805-CXDM4060P-WN
MOSFET P-CH 40V 6.4A DIE
