Número de Producto del Fabricante:
SIHP11N80E-BE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHP11N80E-BE3-DG
Descripción:
N-CHANNEL 800V
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
876 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977898
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ENVIAR
SIHP11N80E-BE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
E
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
440mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1670 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
179W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
742-SIHP11N80E-BE3TR-DG
742-SIHP11N80E-BE3TR
742-SIHP11N80E-BE3CTINACTIVE
742-SIHP11N80E-BE3
742-SIHP11N80E-BE3DKRINACTIVE
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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