SIRA58ADP-T1-RE3
Número de Producto del Fabricante:

SIRA58ADP-T1-RE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIRA58ADP-T1-RE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 32.3A (Ta), 109A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventario:

12000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12965558
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SIRA58ADP-T1-RE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32.3A (Ta), 109A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3030 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5W (Ta), 56.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIRA58

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIRA58ADP-T1-RE3TR
742-SIRA58ADP-T1-RE3CT
742-SIRA58ADP-T1-RE3DKR
SIRA58ADP-T1-RE3DKR
SIRA58ADP-T1-RE3TR-DG
SIRA58ADP-T1-RE3DKR-DG
742-SIRA58ADP-T1-RE3TR
SIRA58ADP-T1-RE3CT-DG
SIRA58ADP-T1-RE3CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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