SIS780DN-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIS780DN-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIS780DN-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 18A (Tc) 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventario:

1 Pcs Nuevos Originales En Stock
12787447
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SIS780DN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
722 pF @ 15 V
Función FET
Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (máx.)
27.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8
Número de producto base
SIS780

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIS780DN-T1-GE3-DG
SIS780DN-T1-GE3CT
SIS780DN-T1-GE3DKR
SIS780DN-T1-GE3TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
RQ1E070RPTR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
7064
NÚMERO DE PIEZA
RQ1E070RPTR-DG
PRECIO UNITARIO
0.41
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
RQ3E120BNTB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
2880
NÚMERO DE PIEZA
RQ3E120BNTB-DG
PRECIO UNITARIO
0.16
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
RQ3E100ATTB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
8342
NÚMERO DE PIEZA
RQ3E100ATTB-DG
PRECIO UNITARIO
0.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
RQ1E075XNTCR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
26907
NÚMERO DE PIEZA
RQ1E075XNTCR-DG
PRECIO UNITARIO
0.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
RQ3E100BNTB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
95904
NÚMERO DE PIEZA
RQ3E100BNTB-DG
PRECIO UNITARIO
0.11
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SI7386DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SUP60N10-16L-E3

MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB

vishay-siliconix

SUP60020E-GE3

MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB

vishay-siliconix

SIR403EDP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8